中商情报网讯：碳化硅是第三代宽禁带半导体材料，具有高禁带宽度（3.2eV）、高热导率、高击穿场强和耐高温高压等特性。碳化硅凭借其耐高压、高频、高效特性，正逐步替代传统半导体材料，成为新能源、5G通信和航空航天等领域的关键材料。随着技术突破和成本下降，碳化硅产业将迎来高质量发展阶段，助力全球能源转型与产业升级。
一、产业链
碳化硅目前是晶体生长技术及器件制造方面最成熟的宽禁带半导体材料，碳化硅从材料到器件的制造过程会经历单晶生长、晶锭切片、外延生长、晶圆设计、制造、封装等工艺流程。碳化硅产业链上游为衬底和外延；中游为器件和模块制造环节，包括SiC二极管、SiCMOSFET、全SiC模块、SiC混合模块等；下游应用于5G通信、国防应用、数据传输、航空航天、新能源汽车、光伏产业、轨道交通、智能电网等领域。
资料来源：中商产业研究院整理
二、上游分析
1.碳化硅器件成本占比
在碳化硅器件的制造成本结构中，衬底成本通常占据最大比例，占比可达47%，其次是外延成本，占比约23%，这两大工序是碳化硅器件的重要组成部分，它们的制备难度非常大，技术以及成本也非常高。此外，前段和研发费用也是成本结构中的重要部分，分别占比19%和6%左右。
数据来源：中商产业研究院整理
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